前言

        跟隨高度科技信息關卡的增加和實驗研究方案的深入研究，實驗器材是各類祖國和地方科研工作系統、職業院校和廠家公司必無可少的專用工具。得益于高度第一代光電器件加工業跑馬圈地擴展的生產能力，測驗裝備范圍真可以說坐享使用需求保險分紅，保持受歡迎。近兩近些年來，內部外許多 廠家公司性動作經常，關鍵點步驟的測驗裝備不要被少數民族廠家公司壟斷行業，互聯網行業高度化tcp連接強烈縮短，中國現代行業測驗裝備的國產a化率也在慢慢加快。

        致力于第三方代半導的測試要，廣州普賽斯的創新進入中國SiC/IGBT/GaN工率配件外部式的技術基本參數測試來解決措施，為SiC和GaN配件提供數據可以信賴的測試方法，達到工率半導配件外部式的技術基本參數的高高精準度、提高生產率率測量和講解，產品的已被中國內地外多名高知名度半導工廠檢驗和軟件。

國產測試設備出海機遇海外市場發展空間廣闊

        第一代半導電子元件芯片說的是以SiC、GaN為代表性的半導電子元件芯片原料，與前幾代半導電子元件芯片原料相信其長處是極具較寬的禁帶寬使用度，更適用于于建設低溫、低頻、抗輻射危害及大電率的電子元電子元件電子元件，從而在5G移動基站、新綠色能源、光伏太陽能、風力發電廠、動車等鄰域存在寬泛的運用。Yole分折，亞洲地區SiC電率半導電子元件芯片行業將從202一年的15000萬外幣持續增加至202六年的6三億外幣，年pp年持續增加率(CAGR)將小于34%，GaN電率電子元件行業將從202一年的1.2億元外幣持續增加到202六年的20億外幣，年pp年持續增加率(CAGR)高達模型的59%。

質料渠道:Yole Development

        近三余載，比較好的半導體器件芯片營造主設配保要國先后提高了等級出口額監管的條例，從測驗主設配的各種所需的角度看你，中國人有市面的國內代換各種所需微弱，的條例一方面也遭受到了非常尊重，被因為是中國人有在半導體器件芯片領域“換道超車”的重要的就會。跟隨國內測驗主設配特點和穩定可靠性的提高了，在單價和服務于強勢的驅動下，境外各種所需也逐漸擴大，應該用余地浩瀚。

        今日，深圳普賽斯IGBT動態叁數試驗方法系統賣往在美國，并已完工該項目預驗，圖標著自主學習產品研發的全國產系列化IGBT動態叁數試驗方法設備正式宣布開始香港國際行業。

IGBT靜態參數測試的難點與挑戰

        任何器件的制造與應用都需以測試手段作為保障，IGBT功率器件的參數測試不僅是功率器件投入商業化應用的重要環節，也是研究器件性能的重要手段。根據測試條件不同，功率器件被測參數可分為兩大類：靜態參數和動態參數。靜態參數是指器件本身固有的，與工作條件無關的相關參數，如集射極擊穿電阻值電阻值V(BR)CES、供大于求集射極交流電ICES、柵射極閾值法電阻值VGE(th)、導入電容器器器 Cies、逆向傳遞電容器器器Cres、效果電容器器器Coes等。

         長見的IGBT靜態變量因素檢查軟件系統均來于于國外商家，這個設施的檢查電阻高達3000V超過，直流電壓高達1200A超過。而國家商家在高壓低壓力（>3000V）和高直流電壓（>1000A）IGBT功能版塊檢查因素與國外設施比起來收入差距很大的，且年輕化有檢查精確不能高、衡量區間較少的狀況。在某些道路鐵路交通用的高壓低壓力大耗油率的IGBT單管、半橋功能版塊，檢查生活條件必須要高達6500V/3000A，不顧是國外設施還得傳統設施都非常難高達檢查規范要求。

圖:Si/SiC/GaN的市廠軟件應用區域

高電壓、大電流：普賽斯IGBT靜態參數測試解決方案

        為因對金融業各業對IGBT的試驗供需，蘇州普賽斯朝構思構思、精益管理制作新一款精密儀器端電壓-電壓的IGBT冗余基本參數指標試驗軟件，可帶來了IV、CV、跨導等豐富多彩控制傳感器的全方位的試驗，都具有高導致精度、寬側量空間、控制智能化構思構思、更好升級括展等優越，從而全面性考慮從基礎上工作功率整流二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體設備SiC、GaN等晶圓、處理器、電子元件及控制傳感器的冗余基本參數指標定量分析和試驗供需。軟件按照控制智能化融合的構思構思機構，為手機用戶之后的靈活機動獲取或升級側量控制傳感器帶來了了非常大的智能和合適性價，增強試驗生產率還有產線UPH。         IGBT靜態變量技術指標檢測設備幫助信息交互式手動運營步驟時運營步驟或融合檢測器臺的重新運營步驟，就可以在從衡量設置成和進行到最終深入分析和數據表格的管理的正個表現的過程中建立更高效和可多次重復的集成電路芯片表現。也可與高高溫箱、溫度控制器功能等配合運行，要求高高溫檢測具體需求。

        IGBT靜態參數測試系統主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發射極，最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA級漏電流；集電極-發射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；最高支持3500V(可擴張至10kV)電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率最高支持1MHz，可靈活選配。

系統優勢/Feature

1、IGBT等大功率器件由于其功率特點極易產生大量熱量，施加應力時間長，溫度迅速上升，嚴重時會使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯高電壓版塊創立的耗時不大于5ms，在自測方式中夠減掉待測物加電耗時的發燒。

2、高壓低壓下漏電流的公測特性不錯，公測重疊率好于國際聯盟高端品牌。市面上絕大多數器件的規格書顯示，小模塊在高溫測試時漏電流一般大于5mA，而車規級三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，最大40mA。普賽斯靜態系統高壓模塊測試幾乎可以完全應對所有類型器件的漏電流測試需求。

3、再者，VCE(sat)測式是定性分析 IGBT 導通效果消耗測試的一般叁數，對旋鈕效果消耗測試當然也有一些的的影響。必須要 施用快速窄單輸入脈沖直流電流源，單輸入脈沖回落沿速度快要十分快時才能夠擴大配件低熱，另外環保設備必須要 有同步軟件抽樣電流效果。

IGBT空態測評裝置大交流電版塊：50us—500us 的隨意調節交流電脈寬，升邊沿在 15us(常見值)，才能減少待測物在測評的過程中的發冷，使測評沒想到相對準確度。下圖為 1000A 波形：

4、飛速靈敏的客制化工裝夾具徹底解決設計方案：強大的測試夾具解決方案對于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類產品的測試。

結束語

        IGBT外部數據測試方法系統的對于高網絡化公司成品，已往在世界市場中上只被極少品牌熟悉。中國半導產業不斷發展的不斷發展、專業半導打造機械存有國外貿出口管理的晉升，對德國進口機械加工廠并不是在 挑戰模式也是創業機會。以后，杭州普賽斯將充分的發揮出自己的的新技術和的創新的優勢，不間斷助推高網絡化公司成品支撐適用，真實確保以新技術創造自己多總價值。