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PMDT功率器件動態參數測試系統

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PMDT耗油率集成電源電路芯片動態圖化叁數考試系統都是款通用型于MOSFET、IGBT、SiC MOS等集成電源電路芯片的動態圖化叁數考試，就能安會便利性的考試耗油率集成電源電路芯片的轉換開關延遲時間和損耗費，考評集成電源電路芯片的安會運行區，對集成電源電路芯片和驅程電源電路的短路故障保護的性能使用核實，測量耗油率零部件的雜散電感。控制平臺核心由雙脈沖移動信號移動信號的反應器，好成績辨率示波器，油田直流電攝像頭，油田打開電源、母線電解電容、低雜感母排、自然化測驗英文游戲已經設備配套測驗英文公裝組成。控制平臺配有很多種測驗英文驅動軟件板，可包括打開主要參數測驗英文、柵極自由電荷測驗英文、過壓測驗英文、雪崩測驗英文等，日均測驗英文就好到位打開性及正向修復性測驗英文；可隨時存放測驗英文報告模板單及正弦波形的身材曲線，自然轉換成測驗英文報告模板。

產品特點

● 高電壓達2000V（最大擴展至8kV）
● 大電流達2000A（可擴展至6000A）
● 低寄生電感設計，＜20nH寄生電感
● 安全防護機制，集成防爆、過流/過壓保護
● 全功能測試覆蓋，支持DPT、RBSOA、SCSOA、Qg等參數
● 自動化與智能化，負載電感自動切換
● 溫度范圍廣，可選高溫模塊(常溫～200℃)或熱流儀(-40℃～200℃)

● 兼容多種封裝，可根據測試需求定制夾具

系統組成.png

測試項目

●  開通特性：開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
●  關斷特性：關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、  關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
●  反向恢復特性：反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、最大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t
●  短路特性：短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc
●  柵極電荷：總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs  vs.t
●  反偏安全工作區：關斷電壓尖峰VCE—peak、關斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

測試夾具

重要性市售上差異封裝內型的輸出半導體芯片，如IGBT、SiC、MOS等物品，普賽斯能提供成套測試儀方法車床夾具解決設計，常用于T0單管，半橋模組等物品的測試儀方法

測試夾具.png

軟件界面

產品選型

項目	正向電壓	負向電壓	最大電流	脈寬范圍
柵極	0～30V	-20～0V	10A	0.1μs～200μs

項目	最大電壓	最大電流	短路電流
漏極/集電極	2000V	2000A（DPT）	12kA

項目	雜散電感	保護響應時間	工作環境溫度
系統功能	＜20nH	＜2us	常溫～40℃

PMDT功率器件動態系統不同規格配置型號參考：

型號	規格	高壓差分探頭	柔性電流探頭
PMDT2003	2000V/300A/12kA(短路)	Vds(1個): 帶寬: 500MHz，差分電壓: 200X: 350V，2000X: 3500V	Ig(一): 上行速率 100M，滿量程 30AIc(1個大概): 速率 30M，滿量程 300A Icsc(個): 帶寬使用 30M，分度值 12kA
PMDT2010	2000V/1000A/12kA(短路)	Vds(1個): 帶寬: 500MHz，差分電壓: 200X：350V，2000X: 3500V	Ig(7個)：帶寬使用 100M，示值 30AIc(一個)：上行帶寬 30M，測量范圍 1200A Icsc(一個)：速率 30M，量限 12kA
PMDT2020	2000V/2000A/12kA(短路)	Vds(1個): 帶寬: 500MHz，差分電壓: 200X: 350V，2000X: 3500V	Ig(9個): 帶寬使用 100M，測量范圍 30AIc(3個): 下行帶寬 30M，量限 3000A Icsc(9個): 帶寬起步 30M，測量范圍 12kA