盛夏已過，初秋開場

十月的高溫依舊的意思已簽不散業務也免不掉被繁多的業務封魔

高壓變壓器大電功率(6500V/3000A)IGBT各種測試難？伴隨著時間的推移創業項目要急、目標重、需要高建筑技術人員們壓強山大...

不如先Fun松Fun松~

Step  1

群發閨蜜圈發文稱“有獎進行互動”，布置幾乎所被人可見，手機截圖上傳；

Step  2

掃苗右上方動態二維碼，導出截頻、填事情答題并上傳。

參與互動并答對4題以上即可獲得簡約隨手禮一次（僅供前20名）！未獲獎的朋友也可免費獲得《IGBT功率器件靜態參數測試白皮書》一份(電子版)，并提供技術性醫生兩對一網絡咨詢介紹！

搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

原因SiC與Si耐熱性特點的區別，SiC MOSFET的閥值輸出功率有著不固判定，在器材檢測儀階段中閥值輸出功率也會有很大漂移，形成其電耐熱性檢測儀及其常溫柵偏現場實驗后的電檢測儀沒想到比較嚴重忽略于檢測儀能力。因閥值輸出功率的確切檢測儀，現行標準是真的嗎性檢測儀做法有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通熱敏電阻 RDSon為影向元器件操作時導通自然損耗的一必要表現參數設置，其計算結果會隨 VGS 各種T的變遷而變化。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保養是可以將電流大小值甚至電流大小受限制在SOA區域中，規避功率器件破壞或炸管。

試驗的條件：800V 恒壓 10μA 限流

考試先決條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）功率探測控制電路將提供導通端電壓側量要求；? SOCKET與PIN使用阻值、測試軟件引線導通阻值。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電流大小弧形自由振蕩；? 錢路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 常規同軸電攬的等效電阻與DUT串連，SMU考試時攀升包括安全穩定準確時間長；? 三同軸電線等效電解電容可以說為0。

參與互動獲得精美禮品

參入在線答題充分會換取精彩紀念禮品一分，還可免弗換取《IGBT輸出功率元器靜止數據公測發展報告》一分(智能版)，并帶來技術設備有關專家四只一了解答疑！