基帶存儲單片機芯片公測做為基帶存儲單片機芯片的設計、生育、裝封、公測的流程中的關鍵性形式,是動用某一實驗儀器,經過相處測電子元件DUT(Device Under Test)的判斷,差異偏差、證實電子元件是否能夠按照的設計最終目標、分割電子元件的好與壞的時。表中直流電功能公測是抽樣檢查基帶存儲單片機芯片電功能的關鍵性的方式其中之一,常見的公測形式是FIMV(加電流量值測額定工作電壓)及FVMI(加額定工作電壓測電流量值),公測功能具有開漏電公測(Open/Short Test)、漏電流量值公測(Leakage Test)以其DC功能公測(DC Parameters Test)等。