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專心于半導體材料電耐腐蝕性測試測試

IC芯片電性能參數測試指南

來源:admin 事件:2024-05-14 08:56 瀏覽訪問量:3507
        羅馬網絡化改變起步,5G 、勞動力智能化及仙界高的性能法求(AI/HPC)的利用牽動一體化用電線路原理(Integrated Circuit, IC)系統不停升級,處理芯片用電線路原理設計復雜性情況和元器件一體化度持續不斷增多,檢驗難度和檢驗代價亦進而走高。


集成電路測試貫穿了從設計、生產到實際應用的全過程,大致分為:

- 規劃的時候的規劃查驗測試圖片- 晶圓加工制造時段的生產技術實時監控測試方法- 芯片封裝前的晶圓測試圖片- 裝封后的原材料檢查


芯片測試應用現狀

        芯片測試作為芯片設計、生產、封裝、測試流程中的重要步驟,是使用特定儀器,通過對待測器件DUT(Device Under Test)的檢測,區別缺陷、驗證器件是否符合設計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一,常用的測試方法是FIMV(加電流測電壓)FVMI(加電流值測電流值)

        傳統的IC芯片電性能方面測量儀要數臺電子多功能儀表盤實現,如輸出功率源、功率源、萬用表等,其實由數臺電子多功能儀表盤結構的系統要分開做出java開發、此次、無線連接、在測量和概述,工作錯綜復雜化又需時,又霸占假如你測量儀臺的房間,并且作業單模塊的電子多功能儀表盤和激發源還會有錯綜復雜化的互相間閃避作業,有更具的不來確相關性及很慢的傳送數據線傳送數據網絡速度等缺點,尚未需要滿足高率測量儀的的需求。

        實施芯片電性能測試的最佳工具之一是大數字源表(SMU),數字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負載,支持四象限功能,可提供恒流測壓及恒壓測流功能,可簡化芯片電性能測試方案。


        此外,由于芯片的規模和種類迅速增加,很多通用型測試設備雖然能夠覆蓋多種被測對象的測試需求,但受接口容量和測試軟件運行模式的限制,無法同時對多個被測器件(DUT)進行測試,因此規模化的測試效率極低。特別是在生產和老化測試時,往往要求在同一時間內完成對多個DUT的測試,或者在單個DUT上異步或者同步地運行多個測試任務。


        基于普賽斯CS系列多通道插卡式數字源表搭建的測試平臺,可進行多路供電及電參數的并行測試,高效、精確地對芯片進行電性能測試和測試數據的自動化處理。主機采用10插卡/3插卡結構,背板總線帶寬高達 3Gbps,支持 16 路觸發總線,滿足多卡設備高速率通信需求;匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,具有通道密度高、同步觸發功能強、多設備組合效率高等特點,最高可擴展至40通道

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圖1:普賽斯CS題材插卡式源表

(10插卡及3插卡,高至40檢修通道)


基于數字源表SMU的芯片測試方案

        動用普賽斯數字6源表展開處理芯片的開漏電測試(Open/Short Test)、漏電流測試(Leakage Test)已經DC基本參數測試(DC Parameters Test)。

1、開短路測試(O/S測試)

開短路故障軟件檢驗(Open-Short Test,也稱多次性或相處軟件檢驗),中用檢驗軟件檢驗軟件與電子元件所有引腳的電相處性,軟件檢驗的操作過程是租用對地保護措施肖特基二極管開始的,軟件檢驗接觸電源線路方式如下圖所示:

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圖2:開燒壞測試各線路聯系圖示

2、漏電流測試

漏電流試驗,稱為為Leakage Test,漏電流試驗的的主要的是檢測復制粘貼Pin腳已經高阻情形下的輸送Pin腳的抗阻是否需要夠高,試驗聯接電路板給出圖甲中:

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圖3:漏電流測量各線路接圖示

3、DC參數測試

DC技術指標的測試測試,一樣基本都是Force直流電測試測試額定相電壓或是Force額定相電壓測試測試直流電,具體是測試測試抗阻性。一樣幾種DC技術指標都有在Datasheet內部要標,測試測試的具體為的是抓好IC芯片的DC技術指標值按照標準化:

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圖4:DC參數設置測驗火車線路接展示

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測試案例

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測試系統標準配置


Case 01 NCP1377B 開短路測試

        考試 PIN 腳與 GND 間對接感覺,考試歷程中SMU首選3V示值,產生-100μA交流電,限壓-3V,檢測的電阻值報告表 1 如圖所示,電阻值報告在-1.5~-0.2 間,考試報告 PASS。

*測試圖片方式進行連接符合圖2

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圖5:NCP1377B開跳閘各種測試報告




Case 02 TLP521 光電耦合器直流參數測試

        光學合體器包括由兩個分組名稱成:光的使用端及光的考慮端。光的使用端包括由發光字廣告電感組合而成,電感的管腳為光耦的放入端。光的考慮端包括是光敏納米線管, 光敏納米線管是運用 PN 結在釋放逆向電流時,在環境光照射到下逆向內阻由大變小的原則來工作任務的,納米線管的管腳為光耦的輸出電壓端。        典型案例用到同一套SMU做測驗,一套SMU與元集成電路芯片封裝輸進端聯接,是 恒流源驅使變色穩壓管并測定輸進端有關于性能,同一套SMU與元集成電路芯片封裝傷害端聯接,是 恒壓源并測定傷害鍴的有關于性能。


*測評各線路進行連接依據圖4


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圖6:BVECO 考試統計資料及直線

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圖7:ICEO試驗數據顯示及弧線

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圖8:輸入基本特性曲線圖

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圖9:導出特征參數斜率


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