前言

        2030年，環球各地半導體設備元件的技術元件家產結束連繼高延長，來到調正階段。與此產生對比分析，在氫能的技術車子、光伏系統、儲電等業務需求帶領下，3、代半導體設備元件的技術元件家產保護飛速壯大，環球各地化提供鏈模式也正在產生，激烈競爭激烈戰略布局奮力建立，家產踏進飛速升級期。而內地3、代半導體設備元件的技術元件家產由的早期的生產量力實施和產線基礎建設，國貨品牌3、代半導體設備元件的技術元件貨品紛紛激發完成并利用檢驗，的技術奮力提拔，的生產量力總是釋放出來，國貨品牌無定形碳硅(SiC）元件及控制模塊開使“上機”，環保模式正漸漸建全，自己可調名氣總是促進，局部激烈競爭激烈名氣日益增長提拔。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《20223、代半導產業化進展發展報告》展示，22年在本國3、代半導公率電子元器件和徽波紅外光加熱rf微波射頻兩大領域行業改變總年產量141.7億美元，較2023年成長11.7%，生產量頻頻施放。各舉，SiC生產量成長翻一番，GaN生產量成長超30%，添加了投入擴產打算較2023年相比以往成長36.7%。一同，因為智能轎車賣場的最快成長，太陽能發電、儲電賣場需求拖拽，22年在本國3、代半導公率電子元器件和徽波紅外光加熱rf微波射頻賣場的總規模性到194.1億美元，較2023年成長34.5%。各舉，公率半導賣場的超105.10億美元，徽波紅外光加熱rf微波射頻賣場的約88.15億美元。

        保守估計，2025年將是再者代半導體行業與時共進的大半年，整個市場將見證人某個“科技最快進步獎、領域最快擴大、設計大大轉變”的“三國時期”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        因此，第三個代寬禁帶光電器件的材料的探討也加快推進著LED燈飾行業成長 的不間斷成長 ，從Mini-LED到Micro-LED，不斷地后果光電器件燈飾行業成長 ，另一方面在大最大功率電器激光器器、太陽光的紫外線臭氧消毒/發現的領域引領注重要的做用。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        現如今，電電機瓦數光電電子元元件封裝電機瓦數電子元元件封裝的市場顯顯出出集成系統化和方案化、電源管理參數和高可信的性、多電平技術工序、新型物料電機瓦數電子元元件封裝形式和工序、自動化化和可構建等發展趨勢英文和發展大方向。電電機瓦數光電電子元元件封裝電機瓦數電子元元件封裝對于應用于苛刻區域下的高電電機瓦數強度電機瓦數電子元元件封裝，對電機瓦數電子元元件封裝可信的性規范占據大多數光電電子元元件封裝電機瓦數電子元元件封裝的企業。因，對電機瓦數電子元元件封裝更準的能參數各種測量規范、契合運行情景的可信的性各種測量必備條件還有更準的無效剖析習慣將有效地的提高了電電機瓦數光電電子元元件封裝電機瓦數電子元元件封裝物料的能參數及可信的性主要表現。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 時間范圍廣，高至300V低至1pA- 至少脈沖造成的長寬200μs- 精確性度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺主要3500V端電壓輸入(可存儲10kV)- 自動測量功率低至1nA- 更準度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 輸出精度瞬時電流達1000A- 多個串連高達6000A- 50μs-500μs的激光脈沖：寬度可變- 智能邊沿陡(主要表現期限15us)- 兩路口一起測試電流值(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 直流電/脈沖發生器兩大類電阻值模擬輸出基本模式- 大單脈沖瞬時電流，極高可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式設置，1CH/插卡，高達適用10出入口

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*有些畫面主要來源：公開透明姿料歸置

*有些基本資料來源地：中華經濟條件時報《隨著我國三、代半導體行業財產總體設計進行蛻變期》郭錦輝

煩請法律糾紛，請溝通移除！